ערכות התכנון זמינות כעת לייצור בטכנולוגיית 0.13 מיקרון במתקני הייצור של החברה בארה”ב ובישראל ומיועדות לשווקי ה-RF האלחוטי והטיונרים לטלוויזיה
טאואר-ג’אז הודיעה על זמינותה של ערכת תכנון עבור טכנולוגיית הדור הבא של SiGe BiCMOS ב-0.13 מיקרון ליישומי RF. הטכנולוגיה אותה מציעה החברה משלבת בין הביצועים של פלטפורמת סיליקון גרמניום עם תהליך 130 ננו-מטר משולב נחושת ונועדה להשיג ביצועי RF גבוהים עם יותר מעגלים דיגיטאליים משולבים. הטכנולוגיה מיועדת ליישומי RF אלחוטיים וטיונר טלוויזיה המהווים ביחד שוק של מעל מיליארד דולר. מוצרים אלה נדרשים לספק ביצועים גבוהים יותר תוך עלות נמוכה יותר ואינטגרציה של מעגלים דיגיטליים מורכבים.
פלטפורמת ה-SBL13 היא הראשונה להיבנות במתקן הייצור של החברה בישראל, ובכך מהווה טאואר-ג’אז יצרן השבבים היחידי בעל טכנולוגיית ייצור SiGe BiCMOS ביותר ממתקן ייצור אחד, דבר המאפשר גמישות ייחודית עבור תכנון וייצור שבבי RF עם ביצועים גבוהים.
תהליך זה מתאים במיוחד למשדרים-מקלטים לתקשורת אינטרנטית, יחידת שידור-קליטה בטלפונים סלולאריים ומקלטי טלוויזיה. על-ידי שילוב של טכנולוגית 130 ננו-מטר מוכחת עם מבחר גדול של IP ניתן לתכנן פונקציות מורכבות במיוחד של פרוססורים בשטח המהווה מחצית מהשטח בטכנולוגית 0.18 מיקרון. טרנזיסטור SiGe של 100 גיגה-הרץ המשולב בפלטפורמה זו, מאפשר אינטגרציה של מגברי RF דלי רעש, בעוד ששילוב של טרנזיסטור סיליקון גרמניום למתח גבוה, מאפשר שילוב של מגברי הספק –על אותו שבב.
“פלטפורמת ה-SBL13 מאריכה ומגדילה את מפת הדרכים בטכנולוגיית ה-SiGe שלנו ועונה על צרכי לקוחותינו לשילוב גבוה יותר של מעגלים דיגיטאליים ומתן מענה לאספקת מוצריהם ממספר מתקני ייצור,” אמר ד”ר מרקו ראקנלי, סמנכ”ל בכיר ומנהל קו מוצרי ה-RF בטאואר-ג’אז. “חתמנו על מספר הסכמים לייצור פרוסות ליישומי RF המשתמשים בפלטפורמה זו עם פוטנציאל מכירות של 50-100 מיליון דולר.”
