מודולי RF FEM מבוססי Wi-Fi 7, בטכנולוגיית ה-RFSOI המתקדמת של טאואר, מספקים ביצועים ויעילות משופרים בתקשורת ניידת
מגדל העמק, ישראל, 10 בספטמבר 2024 – טאואר סמיקונדקטור (נאסד”ק/ת”א: TSEM), הודיעה היום על ייצור מודולי RF-FEM (Radio Frequency front-end module) לתקשורת בתקן Wi-Fi 7, המבוססים על טכנולוגיית ה- RFSOI300 מ”מ המתקדמת של החברה. טכנולוגיית RFSOI מאפשרת ייצור שבבים עם ביצועים גבוהים וצריכת חשמל נמוכה, המתאימים במיוחד ליישומים הדורשים עיבוד מהיר של אותות (RF) כמו למשל במכשירים סלולריים, מודמים אלחוטיים ומערכות תקשורת אלחוטית אחרות.
בשיתוף פעולה עם חברת ברודקום (נאסד”ק: AVGO), טאואר אפשרה פיתוח של מספר התקני Wi-Fi FEM משולבים על גבי שבב RFSOI אחד. פתרון חדשני זה מספק ביצועים ויעילות משופרים משמעותית בהשוואה לטכנולוגיות שאינן מבוססות SOI, ובכך קובע סטנדרט חדש בשוק עבור מכשירים השירותים מתקדמים המשתמשים בחיבור אלחוטי לרשת Wi-Fi תוך כדי תנועה.
“היתרונות הייחודיים של טכנולוגיית ה-RFSOI של טאואר אפשרו לברודקום לתכנן ולהביא לשוק סט של רכיבי FEM קומפקטיים ובעלי ביצועים גבוהים ליישומי Wi-Fi 7 ניידים,” אמר ויג’יי נגרג’אן, סגן נשיא לשיווק, תקשורת אלחוטית וקישוריות בברודקום. “רכיבי ה-FEM האלו – תוצאה של שותפות ארוכת שנים עם טאואר – מותאמים כך שיעמדו בדרישות המחמירות של גודל ויעילות צריכת חשמל עבור יישומי Wi-Fi ניידים.”
“אנו נרגשים לשתף פעולה עם מובילת שוק כמו ברודקום, ולהרחיב את פלטפורמת ה-RFSOI המתקדמת שלנו כדי להביא אפשרויות ארכיטקטוניות חדשניות,” אמר ד”ר מרקו ראקנלי, נשיא טאואר סמיקונדקטור. “היכולות המובילות של ברודקום בעיצוב מוצרי FEM RF משלימות את החוזקות הטכנולוגיות שלנו, ומאפשרות לשתי החברות להשיג ביצועים ואינטגרציה חסרי תקדים. שותפות זו מדגישה את המחויבות להתאמת מפת הדרכים שלנו עם זו של לקוחותינו ולקידום מוצרים פורצי דרך, ובנוסף מחזקת את המחויבות של טאואר לספק טכנולוגיה ופתרונות ייצור ברמה הגבוהה ביותר לשם הצלחת לקוחותינו.”
התהליך הייצור המשולב החדש מפחית את שטח השבב על אף המורכבות הנדרשת לתמיכה בתכונות חדשות ובפסי תדרים חדשים. פלטפורמת ה-RFSOI של טאואר מספקת את הביצועים המובילים בשוק של מתג משולב מגבר דל רחש לצד המקלט (Low Noise Amplifier- LNA), כפי שמוכח מהאימוץ הרחב של פלטפורמה זו בשוק.
השילוב הנוכחי של התקן מגבר הספק בטכנולוגיה זו, על גבי אותו שבב ולא בשבבים נפרדים, , מאפשר יעילות גבוהה בגודל קטן וללא איבודי הספק הקיימים בפתרון של מגבר הספק על שבב נפרד.
