ענקיות השבבים אנבידיה (Nvidia) וברודקום (Broadcom) החלו בבדיקות מעבדה של תהליך הייצור החדשני 18A של אינטל (Intel), כך לפי דיווח של סוכנות הידיעות רויטרס. הבדיקות נועדו להעריך את יכולות הטכנולוגיה המתקדמת של אינטל, שנחשבת לאחת התקוות הגדולות של החברה לחזרה למרכז הבמה של תעשיית ייצור השבבים המתקדמים, במיוחד עבור יישומי בינה מלאכותית, שרתים ותקשורת עתירת ביצועים.
הבדיקות מתמקדות בתהליך ה־18A, אשר מהווה פריצת דרך טכנולוגית של אינטל ומיועד להציע שיפור משמעותי בביצועים ובחיסכון באנרגיה. מדובר בטכנולוגיית ייצור בגודל 1.8 ננומטר הכוללת שתי טכנולוגיות מפתח:
🔹 RibbonFET – טרנזיסטור מתקדם מסוג gate-all-around, לשיפור השליטה בזרם החשמלי והפחתת דליפות חשמל.
🔹 PowerVia – טכנולוגיה ייחודית להעברת חשמל מצד גב השבב, המשפרת את צפיפות הטרנזיסטורים ואת ביצועי השבב הכוללים.
לפי אינטל, תהליך ה־18A צפוי להציע שיפור של עד 15% בביצועים לוואט ועלייה של 30% בצפיפות הטרנזיסטורים בהשוואה לדור הקודם (Intel 3), ובכך להציב את אינטל בתחרות ישירה מול מובילות השוק כמו TSMC, שתשיק את טכנולוגיית ה־2 ננומטר שלה במהלך 2025.
הבדיקות שמבצעות אנבידיה וברודקום אינן כוללות עדיין ייצור של שבבים מלאים, אלא נועדו לבדוק את התאמת תהליך הייצור של אינטל לדרישותיהן, ולהעריך האם יש מקום לשיתוף פעולה רחב יותר בהמשך. הצלחה בבדיקות אלו עשויה להוביל לחוזי ייצור משמעותיים, מה שיחזק את אינטל בתחום ייצור השבבים עבור חברות צד שלישי (Foundry), תחום אסטרטגי אליו היא נכנסת מחדש במטרה להתחרות ב־TSMC ובסמסונג.
דוברת אינטל מסרה לרויטרס כי החברה מזהה עניין גבוה בתהליך ה־18A מצד השוק, אך סירבה להתייחס לשמות ספציפיים של חברות המעורבות בבדיקות. אנבידיה סירבה להגיב לדיווח, וברודקום לא השיבה לפנייה.
עבור אינטל, מדובר בציון דרך חשוב במאמציה לשוב למרכז מפת החדשנות בתעשיית השבבים. הצלחה בגיוס חברות מובילות כמו אנבידיה וברודקום לשירותי הייצור שלה עשויה לא רק לשפר את הכנסותיה, אלא גם לחזק את מעמדה כשותפה אסטרטגית בייצור שבבים מתקדמים בעידן שבו הביקוש לשבבים לבינה מלאכותית, רכב חכם ותשתיות ענן נמצא במגמת עלייה חדה.
הייצור המסחרי הראשון של שבבים בטכנולוגיית 18A צפוי להתחיל במחצית הראשונה של 2025, עם פרויקטי לקוחות ראשונים שייחשפו בהמשך השנה.
טכנולוגיית ה־Intel 18A מביאה קפיצה משמעותית בייצור שבבים, עם שילוב מתקדם של טרנזיסטורי RibbonFET וטכנולוגיית PowerVia להעברת חשמל מהצד האחורי של השבב (Backside Power Delivery).
הסרטון הבא מציג את עקרונות הפעולה של שתי החדשנויות ומסביר כיצד הן משפרות את צפיפות הטרנזיסטורים, את יעילות צריכת החשמל ואת הביצועים של שבבים מתקדמים, במיוחד עבור יישומי בינה מלאכותית ומחשוב עתיר ביצועים.
